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抗辐射加固存储单元电路  
 【申请号】  CN201310397216.1  【申请日】  2013-09-04
 【公开号】  CN103474092A  【公开日】  2013-12-25
 【申请人】  华中科技大学  【地址】  430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
 【共同申请人】  
 【发明人】  桑红石;王文;张天序;梁巢兵;张静;谢扬;袁雅婧
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  华中科技大学专利中心 42201  【代理人】  朱仁玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  42
 【摘要】  本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路,包括:基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元;其中,基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管;冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管;双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路,还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固,同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固,具有较好的抗辐射特性,且电路结构简单,单元面积小。
 【主权项】  一种抗辐射加固存储单元电路,其特征在于,包括:基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元;其中,基本存储单元包括第一、第二PMOS管(501、502)和第三、第四PMOS管(503、504);第一、第二PMOS管(501、502)为读出访问管,第一PMOS管(501)的源极连接读操作选择字线(516),栅极连接存储节点(Q1),漏极连接第一读出位线(517),第二PMOS管(502)的源极连接读操作选择字线(516),栅极连接反相存储节点(Q1N),漏极连接第二读出位线(518);第三、第四PMOS管(503、504)为写入访问管,第三PMOS管(503)的源极连接存储节点(Q1),栅极连接写入选择字线(513),漏极连接第一写位线(514),第四PMOS管(504)的源极连接反相存储节点(Q1N),栅极连接写入选择字线(513),漏极连接第二写位线(515);冗余存储单元包括第五、第六PMOS管(505、506)和第七、第八PMOS管(507、508);第五、第六PMOS管(505、506)为读出访问管,第五PMOS管(505)的源极连接读操作选择字线(516),栅极连接冗余存储节点(Q2),漏极连接第一读出位线(517),第六PMOS管(506)的源极连接读操作选择字线(516),栅极连接反相冗余存储节点(Q2N),漏极连接第二读出位线(518);第七、第八PMOS管(507、508)为写入访问管,第七PMOS管(507)的源极连接冗余存储节点(Q2),栅极连接写入选择字线(513),漏极连接第一写位线(514),第八PMOS管(508)的源极连接反相冗余存储节点(Q2N),栅极连接写入选择字线(513),漏极连接第二写位线(515);双向反馈单元,用于构成存储节点(Q1)与冗余存储节点(Q2)间的反馈通路,还用于构成反相存储节点(Q1N)与反相冗余存储节点(Q2N) 间的反馈通路。
 【页数】  10
 【主分类号】  G11C11/4063
 【专利分类号】  G11C11/4063
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