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抗总剂量效应存储单元电路  
 【申请号】  CN201310398912.4  【申请日】  2013-09-04
 【公开号】  CN103489477A  【公开日】  2014-01-01
 【申请人】  华中科技大学  【地址】  430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
 【共同申请人】  
 【发明人】  桑红石;王文;张天序;梁巢兵;张静;谢扬;袁雅婧
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  华中科技大学专利中心 42201  【代理人】  朱仁玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  42
 【摘要】  本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路,全部由PMOS管构成,包括:第一、第二PMOS管,第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管;第一、第二PMOS管为上拉管,第三、第四PMOS管为读出访问管,第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固,具有较小的存储单元面积,可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。
 【主权项】  一种抗总剂量效应存储单元电路,其特征在于,全部由PMOS管构成。
 【页数】  11
 【主分类号】  G11C11/413
 【专利分类号】  G11C11/413
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