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一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法  
 【申请号】  CN201310535080.6  【申请日】  2013-10-31
 【公开号】  CN103603040A  【公开日】  2014-02-26
 【申请人】  东南大学  【地址】  211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
 【共同申请人】  
 【发明人】  余新泉;夏咏梅;吴春晓;章雯;张友法;陈锋
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249  【代理人】  冯慧
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  32
 【摘要】  本发明涉及一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法,在生长液中基底生长面采取向下悬空放置;直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列;阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42-水溶液。其特点是:无需晶种层,也无需任何外加场、模板和辅助剂;基底不需要含锌。该方法具有设备及工艺简单、操作易、能耗低、环境友好、过程安全、成本低廉、产品性能稳定、与基底结合牢固和适合工业化生产等优点。本发明制备出的ZnO纳米锥阵列,在超疏水表面、探测器、压电变频器、紫外激光和太阳能电池等方面有广阔的应用前景和巨大的市场效益。
 【主权项】  一种制备ZnO纳米锥阵列的低温液相生长方法,在生长液中基底生长面采取向下悬空放置;其特征在于:直接将清洗干净的基底生长面向下悬浮于生长溶液中水浴生长得到ZnO纳米锥阵列;阵列生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的Zn(OH)42?水溶液。
 【页数】  11
 【主分类号】  C30B29/16
 【专利分类号】  C30B29/16;C30B19/00;C30B29/62
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