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一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺  
 【申请号】  CN200710119766.1  【申请日】  2007-07-31
 【公开号】  CN101100731  【公开日】  2008-01-09
 【申请人】  北京航空航天大学  【地址】  100083北京市海淀区学院路37号
 【共同申请人】  
 【发明人】  马岳;赵勇;裴延玲;宫声凯;徐惠彬
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京永创新实专利事务所  【代理人】  周长琪
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  11
 【摘要】  本发明公开了一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺,该热处理工艺适用 于Al含量45at%~51at%的TiAl基合金的片层间距细化、或者Al含量42at%~ 46at%、铌含量5at%~10at%的高铌TiAl基合金的片层间距细化。本发明的热处 理工艺针对经过浇铸或凝壳成型的全片层TiAl基合金铸锭,首先进行均匀化和热等 静压处理,然后在α+γ双相区进行循环时效处理,通过控制加热速度、冷却速度、 保温温度、保温时间等相应参数,可有效控制并细化TiAl基合金组织的片层间距, 同时保持TiAl基合金的宏观片层形态。
 【主权项】  1、一种细化TiAl基合金片层间距的热处理工艺,该热处理工艺包括预处理和循 环时效处理两部分,其特征在于所述的循环时效处理是在α+γ双相区进行的,具体 工艺步骤为: 第一步:将经预处理后的TiAl基合金加热至α+γ双相区的第一温度区1200± 20℃,保温2~5min; 第二步:以加热速度vh将经第一步骤处理后的TiAl基合金加热至第二温度区 1300±20℃,保温15~30min; 所述加热速度vh=1.0×10-3~2.0×10-1℃/s; 第三步:以冷却速度vc将经第二步骤处理后的TiAl基合金降温至第一温度区 1200±20℃,并保温2~5min; 所述冷却速度vc=1.0×10-3~9.0×10-1℃/s; 第四步:重复第二步骤和第三步骤2~6次,然后随炉冷却至室温、取出,得到 片层间距细化的TiAl基合金。
 【页数】  12
 【主分类号】  C22F1/18
 【专利分类号】  C22F1/18
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