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具有电浮置体晶体管的存储器单元和存储器单元阵列及其操作方法  
 【申请号】  CN200680026285.X  【申请日】  2006-09-06
 【公开号】  CN101233576  【公开日】  2008-07-30
 【申请人】  矽利康创新有限公司  【地址】  瑞士洛桑
 【共同申请人】  
 【发明人】  谢尔盖·奥克霍宁;米哈伊尔·纳戈加
 【国际申请】  2006-09-06 PCT/EP2006/008668  【国际公布】  2007-03-15 WO2007/028583 英
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司  【代理人】  李德山;杨林森
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  CH
 【摘要】  一种用于写入、编程、保持、维持、采样、感测、读取和/或确定存 储器单元阵列(例如,具有多个存储器单元的存储器单元阵列,该存储器 单元由电浮置体晶体管构成)的存储器单元的数据状态的技术。一方面, 本发明涉及用于控制和/或操作半导体存储器单元(和具有多个这样的存 储器单元的存储器单元阵列以及包括存储器单元阵列的集成电路器件)的 技术,该半导体存储器单元具有一个或者多个电浮置体晶体管,其中电荷 存储在电浮置体晶体管的体区中。本发明的技术可以采用双极晶体管电流 来控制、写入和/或读取这种存储器单元中的数据状态。在这点上,本发 明可以采用双极晶体管电流来控制、写入和/或读取存储器单元的电浮置 体晶体管中/的数据状态。
 【主权项】  1.一种集成电路器件,包括: 存储器单元,其包括电浮置体晶体管,其中所述电浮置体晶体管包括: 源区; 漏区; 设置在所述源区和所述漏区之间的体区,其中所述体区被电浮 置;以及 设置在所述体区之上的栅; 其中每个存储器单元包括:(i)第一数据状态,其表示所述晶体管的 体区中的第一电荷,以及(ii)第二数据状态,其表示所述晶体管的体区 中的第二电荷; 数据写入电路,其耦合到所述存储器单元,用于(i)施加第一写入 控制信号到所述存储器单元以在其中写入所述第一数据状态,以及(ii) 施加第二写入控制信号到所述存储器单元以在其中写入所述第二数据状 态;以及 其中,响应于施加到所述存储器单元的第一写入控制信号,所述电浮 置体晶体管生成第一双极晶体管电流,所述第一双极晶体管电流基本上提 供了所述电浮置体晶体管的体区中的第一电荷。
 【页数】  94
 【主分类号】  G11C11/404
 【专利分类号】  G11C11/404;G11C11/4076
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