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TFT基板及TFT基板的制造方法  
 【申请号】  CN200680052263.0  【申请日】  2006-11-30
 【公开号】  CN101336485  【公开日】  2008-12-31
 【申请人】  出光兴产株式会社  【地址】  日本国东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  井上一吉;矢野公规;田中信夫
 【国际申请】  2006-11-30 PCT/JP2006/324002  【国际公布】  2007-06-07 WO2007/063966 日
 【进入国家日期】  2008-12-31
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司  【代理人】  朱丹
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明目的在于,提供一种通过削减制造工序的工序数量就能够大幅 度地降低制造成本、并且能够使制造合格率提高的TFT基板及TFT基板 的制造方法。TFT基板的结构包括:基板;在基板上形成的n型氧化物半 导体层;在n型氧化物半导体层上被沟道部隔离而形成的氧化物导电体层; 在基板、n型氧化物半导体层及氧化物导电体层上形成的栅绝缘膜;在栅 绝缘膜上形成的栅布线及栅电极。
 【主权项】  1、一种TFT基板,其特征在于,包括: 基板; 在此基板上形成的第一氧化物层; 在此第一氧化物层上被沟道部隔离而形成的第二氧化物层; 在上述基板、上述第一氧化物层及上述第二氧化物层上形成的栅绝缘 膜;和 在此栅绝缘膜上形成的栅布线及栅电极。
 【页数】  147
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336
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