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生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物  
 【申请号】  CN200910206383.7  【申请日】  2004-05-19
 【公开号】  CN101676217  【公开日】  2010-03-24
 【申请人】  卡伯特公司  【地址】  美国马萨诸塞州
 【共同申请人】  
 【发明人】  戴维·M·里德;斯里达·维尼加拉;里奇·W·基切尔;斯蒂芬·J·克劳斯;希瑟·L·恩曼;多兰·L·舒尔茨;杰弗里·A·柯克纳
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市柳沈律师事务所  【代理人】  宋莉
 【分案原申请号】  200480020747.8
 【国省代码】  US
 【摘要】  描述了一种至少部分还原铌氧化物的方法,其中该方法包括将铌氧化物和 粉混合形成粉末混合物,然后将其热处理由此形成热处理的颗粒,将该该颗粒 在允许氧原子从铌氧化物转移至铌粉的气氛中在足以形成氧还原的铌氧化物 的时间和温度下反应,由此形成氧还原的铌氧化物。还描述了具有高孔隙率的 氧还原的铌氧化物以及包含由氧还原的铌氧化物制备的阳极的电容器。
 【主权项】  1.一种制备阀金属氧化物颗粒的方法,包括: 在真空或惰性条件下热处理起始阀金属氧化物形成附聚颗粒;和非必要地 将所述附聚颗粒解附聚。
 【页数】  90
 【主分类号】  C01G33/00
 【专利分类号】  C01G33/00;C04B35/495;C01B6/02;H01G9/00;H01G9/04;H01G9/042;B22F9/04
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