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一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源及其产生方法  
 【申请号】  CN200910212160.1  【申请日】  2009-11-11
 【公开号】  CN101714007A  【公开日】  2010-05-26
 【申请人】  钰创科技股份有限公司  【地址】  中国台湾新竹
 【共同申请人】  
 【发明人】  夏濬;杨皓然;陈和颖;赖国贞
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006  【代理人】  梁挥;祁建国
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  CN
 【摘要】  本发明涉及一种对于临界电压变异有免疫效果的电流源,其提升该电流源中金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间的电压差或增加该金属氧化物半导体晶体管的通道长度以使所产生的参考电流源能够固定。本发明亦公开一种对于临界电压变异有免疫效果的电流产生方法。
 【主权项】  一种电流源,用以驱动一第一金属氧化物半导体晶体管以产生一预定电流,其特征在于,该电流源包含:一反馈电路,包含:一第二金属氧化物半导体晶体管,包含:一第一端,耦接于一偏压源;一控制端;及一第二端,耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端;一第三金属氧化物半导体晶体管,包含:一第一端,耦接于该偏压源;一控制端,耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的控制端;及一第二端;一第四金属氧化物半导体晶体管,包含:一第一端,耦接于该第三金属氧化物半导体晶体管的该第二端;一控制端,用以接收一控制电压;及一第二端,耦接于一地端;及一第五金属氧化物半导体晶体管,包含:一第一端,耦接于该第二金属氧化物半导体晶体管的该第二端;一控制端,用以输出该控制电压;及一第二端,耦接于该地端;一第一电阻,耦接于该地端与该第五金属氧化物半导体晶体管的控制端之间;及一金属氧化物半导体电路,包含:一第一端,耦接于该偏压源;一控制端,耦接于该第四金属氧化物半导体晶体管的该第一端;及一第二端,耦接于该第五金属氧化物半导体晶体管的该控制端。
 【页数】  15
 【主分类号】  G05F1/575
 【专利分类号】  G05F1/575
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