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基于ECL的InGaP/GaAs HBT超高速二分频电路  
 【申请号】  CN201010199147.X  【申请日】  2010-06-11
 【公开号】  CN101854173A  【公开日】  2010-10-06
 【申请人】  西安电子科技大学  【地址】  710071 陕西省西安市太白南路2号
 【共同申请人】  
 【发明人】  张玉明;程和远;吕红亮;汤晓燕;张义门
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  陕西电子工业专利中心 61205  【代理人】  王品华;朱红星
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  61
 【摘要】  本发明公开了一种基于射极耦合逻辑ECL的InGaP/GaAs?HBT超高速二分频电路,主要解决现有分频电路工作频率范围比较窄,频率低,芯片制造成本高的问题。该二分频电路主要由6个差分电路、4个射极跟随器和6个偏置电路组成,第二差分电路和第三差分电路通过第一射极跟随器和第二射极跟随器连接到第五差分电路;第五差分电路和第六差分电路通过第三射极跟随器和第四射极跟随器连接到第二差分电路,形成主从结构的触发器;第一至第六差分电路和第一至第四射极跟随器构成射极耦合逻辑ECL电路。本发明兼有ECL和InGaP/GaAs?HBT二者的优点,抗共模干扰能力强,电流增益稳定,工作频率高,适用于作中规模超高速N级级联的2N分频器和无线收发机中的锁相环式频率综合器。
 【主权项】  一种基于ECL的InGaP/GaAs?HBT超高速二分频电路,包括第一锁存器L1和第二锁存器L2,其特征在于:第一锁存器L1,主要包括:第一差分电路Q2与Q3,与第二差分电路和第三差分电路连接,用于差分信号输入;第二差分电路Q4与Q5,用于差分放大;第三差分电路Q6与Q7,用于差分放大;第一射极跟随器Q9与Q11,用于提高输入阻抗,降低输出阻抗,其输出信号与第二差分电路输出信号同步变化;第二射极跟随器Q8与Q10,用于提高输入阻抗,降低输出阻抗,其输出信号与第二差分电路输出信号同步变化;第二锁存器L2,主要包括:第四差分电路Q15与Q16,与第五差分电路和第六差分电路连接,用于差分信号输入;第五差分电路Q17与Q18,用于差分放大;第六差分电路Q19与Q20,用于差分放大;第三射极跟随器Q22与Q24,用于提高输入阻抗,降低输出阻抗,其输出信号与第五差分电路输出信号同步变化;第四射极跟随器Q21与Q23,用于提高输入阻抗,降低输出阻抗,其输出信号与第五差分电路输出信号同步变化;所述的第二差分电路和第三差分电路通过第一射极跟随器和第二射极跟随器连接到第五差分电路,所述的第五差分电路和第六差分电路通过第三射极跟随器和第四射极跟随器连接到第二差分电路,形成主从结构的触发器;所述的第一至第六差分电路和第一至第四射极跟随器,均采用GaAs材料的单异质结双极晶体管,该单异质结的材料为InGaP/GaAs。
 【页数】  11
 【主分类号】  H03L7/18
 【专利分类号】  H03L7/18
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