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半导体装置及其制造方法  
 【申请号】  CN201010165708.4  【申请日】  2010-04-14
 【公开号】  CN101866952A  【公开日】  2010-10-20
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;乡户宏充;岸田英幸
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  李玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的课题之一在于:提供使用不包含In、Ga等的稀有金属而包含Zn的氧化物层的晶体管;在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中,减少截止电流并使电特性稳定。在使用包含Zn的氧化物层的晶体管中,在氧化物层上层叠包含绝缘氧化物的氧化物半导体层并以氧化物层和源电极层或漏电极层隔着包含绝缘氧化物的氧化物半导体层重叠的方式形成晶体管,从而可以减少晶体管的阈值电压的不均匀并使电特性稳定。?
 【主权项】  一种半导体装置,包括:栅电极层;所述栅电极层上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的氧化物层;所述氧化物半导体层上的包含绝缘氧化物的氧化物半导体层;以及所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层,其中,所述氧化物层和所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层包括Zn,所述氧化物层和所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层不包括铟,所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层具有其导电率比所述氧化物层的导电率低的非晶结构,并且,所述包含绝缘氧化物的氧化物半导体层电连接到所述源电极层及所述漏电极层。
 【页数】  83
 【主分类号】  H01L29/78
 【专利分类号】  H01L29/78;H01L29/12;H01L21/34;H01L27/02
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