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含铜层积膜用蚀刻液  
 【申请号】  CN201010171113.X  【申请日】  2010-05-13
 【公开号】  CN101886265A  【公开日】  2010-11-17
 【申请人】  关东化学株式会社  【地址】  日本埼玉县
 【共同申请人】  
 【发明人】  加藤胜;河野良
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京高文律师事务所 11359  【代理人】  徐江华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明目的在于提供一次蚀刻Cu金属层和Cu合金氧化物层用的、能够控制溶解性高的铜合金氧化物层的溶解、进而在成为一次蚀刻的对象的积层实现包括Cu合金氧化物层的所有层的溶解以适宜的平衡进行的条件的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的蚀刻液为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻用的蚀刻液,包含过氧化物和有机酸。本发明的蚀刻方法为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻的方法,包括使用包含过氧化物和有机酸的蚀刻液进行蚀刻的工序。
 【主权项】  一种蚀刻液,其为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻用的蚀刻液,包含过氧化物和有机酸。
 【页数】  19
 【主分类号】  C23F1/18
 【专利分类号】  C23F1/18;H01L21/3213
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