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半导体器件及其制造方法  
 【申请号】  CN201010248853.9  【申请日】  2010-08-06
 【公开号】  CN101997005A  【公开日】  2011-03-30
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;坂田淳一郎;细羽幸;西田惠里子
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  刘倜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括:衬底上的栅极电极层;栅极电极层上的栅极绝缘层;栅极绝缘层上的氧化物半导体层;氧化物半导体层上的源极和漏极电极层;在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层;以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外,驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。
 【主权项】  一种半导体器件,包括:在衬底上形成的像素部分,该像素部分包括第一晶体管;以及在所述衬底上形成的驱动器电路部分,该驱动器电路部分包括第二晶体管,其中,所述第一晶体管包括:在所述衬底上的第一栅极电极层;在所述第一栅极电极层上的栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层;在所述第一氧化物半导体层上的第一源极电极层和第一漏极电极层;在所述第一源极电极层的一部分或所述第一漏极电极层的一部分上并与之接触的第一导电层;在所述栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源极电极层、和第一漏极电极层上的第一氧化物绝缘层,所述第一氧化物绝缘层至少与在所述第一源极电极层和所述第一漏极电极层之间的所述第一氧化物半导体层的一部分接触,以及所述第一氧化物绝缘层上的像素电极层,所述像素电极层被电连接到所述第一导电层,其中,所述第二晶体管包括:在所述衬底上的第二栅极电极层;在所述第二栅极电极层上的所述栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体;在所述第二氧化物半导体层上的第二源极电极层和第二漏极电极层;以及在所述第二氧化物半导体层、第二源极电极层和第二漏极电极层上的第二氧化物绝缘层,所述第二氧化物绝缘层与所述第二氧化物半导体层接触,其中,所述第一栅极电极层、所述栅极绝缘层、所述第一氧化物半导体层、所述第一源极电极层、所述第一漏极电极层、所述第一氧化物绝缘层、和所述像素电极层中的每一个具有光透射性质,其中,所述第二源极电极层和所述第二漏极电极层的材料不同于所述第一源极电极层和所述第一漏极电极层的材料,以及其中,所述第二源极电极层和所述第二漏极电极层的材料是电阻比所述第一源极电极层和所述第一漏极电极层的材料低的导电材料。
 【页数】  118
 【主分类号】  H01L27/12
 【专利分类号】  H01L27/12;H01L23/52;H01L29/43;H01L21/77
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