用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
半导体装置及制造半导体装置的方法  
 【申请号】  CN201010248886.3  【申请日】  2010-08-06
 【公开号】  CN101997007A  【公开日】  2011-03-30
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;坂田淳一郎;细羽幸;高桥辰也
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  申发振
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素,该驱动电路包括第一薄膜晶体管,该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:位于绝缘表面上方的驱动电路和像素,该驱动电路包括第一薄膜晶体管,该像素包括第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管包括:位于所述绝缘表面上方的第一栅电极层;位于第一栅电极层上方的栅极绝缘层;位于第一栅电极层上方的第一氧化物半导体层,第一氧化物半导体层包括第一沟道形成区,其中所述栅极绝缘层在第一栅电极层与第一氧化物半导体层之间;位于第一氧化物半导体层上方的第一氧化物导电层和第二氧化物导电层;氧化物绝缘层,该氧化物绝缘层与第一沟道形成区接触,并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触;第一源电极层,与第一氧化物导电层接触;以及第一漏电极层,与第二氧化物导电层接触;并且第二薄膜晶体管包括:位于所述绝缘表面上方的第二栅电极层;位于第二栅电极层上方的第二氧化物半导体层,第二氧化物半导体层包括第二沟道形成区,其中所述栅极绝缘层在第二栅电极层与第二氧化物半导体层之间;以及位于第二氧化物半导体层上方的第二源电极层和第二漏电极层,其中第二栅电极层、第二氧化物半导体层、第二源电极层和第二漏电极层都具有透光性。
 【页数】  121
 【主分类号】  H01L27/12
 【专利分类号】  H01L27/12;H01L29/40;H01L29/786;H01L23/52;H01L21/77
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站