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通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件性能的方法  
 【申请号】  CN201110235401.1  【申请日】  2011-08-17
 【公开号】  CN102593056A  【公开日】  2012-07-18
 【申请人】  上海华力微电子有限公司  【地址】  201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
 【共同申请人】  
 【发明人】  毛刚;刘格致;黄晓橹;陈玉文
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海新天专利代理有限公司 31213  【代理人】  王敏杰
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  31
 【摘要】  本发明通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件的性能,通过在PMOS源漏区implant后加一步spacer蚀刻,使NMOS,PMOS在各自的源漏区implant前拥有不同的spacer尺寸,PMOS较大的spacer尺寸有助于改善PMOS的器件性能。而且加的一步spacer蚀刻,使NMOS的spacer尺寸和原工艺一样,在不影响NMOS和后续制程的同时改善PMOS的器件性能。
 【主权项】  一种通过两步侧墙刻蚀法改善PMOS器件性能的方法,在一硅基板上形成至少一第一晶体管区域、至少一第二晶体管区域,在第一晶体管区域上形成有第一栅极,在第二晶体管区域上形成有第二栅极,其特征在于,包括以下工艺步骤:在硅基板上淀积一层侧壁层,使侧壁层将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖;刻蚀去除部分侧壁层,仅保留覆盖在第一栅极侧壁及第二栅极侧壁的部分侧壁层作第一栅极侧墙和第二栅极侧墙;在硅基板上旋涂光刻胶,将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖;将进行光刻,去除覆盖在第一晶体管区域的光刻胶;对第一晶体管区域进行第一离子注入,形成第一晶体管;对第一栅极侧壁的第一栅极侧墙,对第二栅极侧壁的第二栅极侧墙进行刻蚀,以使第一栅极侧墙以及第二栅极侧墙的厚度变薄;再次旋涂光刻胶,将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖;再次进行光刻,去除覆盖在第二晶体管区域的光刻胶;对第二晶体管区域进行第二离子注入,形成第二晶体管。
 【页数】  8
 【主分类号】  H01L21/8238
 【专利分类号】  H01L21/8238
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