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高压晶体管的制造方法  
 【申请号】  CN201110043237.4  【申请日】  2011-02-23
 【公开号】  CN102651318A  【公开日】  2012-08-29
 【申请人】  旺宏电子股份有限公司  【地址】  中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
 【共同申请人】  
 【发明人】  金宥宪;徐志嘉;黄胤富
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司 11021  【代理人】  周国城
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  71
 【摘要】  本发明公开了一种高压晶体管的制造方法。高压晶体管的制造方法包括以下步骤。提供一衬底。提供一P型外延层(P-type?epitaxial?layer,P-epilayer)于该衬底上。形成一N型阱(N-Well)于P型外延层内。形成一P型阱(P-Well)于P型外延层内。形成多个场氧化层(FOX?layer)于P型外延层之上。形成一栅极氧化层(GOX?layer)于此些场氧化层之间。注入P型杂质(P-type?implant)于P型阱中或注入N型杂质(N-type?implant)于N型阱中,以调整高压晶体管的电性功能。
 【主权项】  一种高压晶体管的制造方法,包括:提供一衬底;提供一P型外延层(P?type?epitaxial?layer,P?epi?layer)于该衬底上;形成一N型阱(N?Well)于该P型外延层内;形成一P型阱(P?Well)于该P型外延层内;形成多个场氧化层(Field?oxide?layer,FOX?layer)于该P型外延层之上;形成一栅极氧化层(Gate?oxide?layer,GOX?layer)于该多个场氧化层之间;注入P型杂质(P?type?implant)于该P型阱中,以调整该高压晶体管的电性功能。
 【页数】  17
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;H01L21/266
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