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制造半导体装置的方法  
 【申请号】  CN201080059834.X  【申请日】  2010-12-07
 【公开号】  CN102668098A  【公开日】  2012-09-12
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志
 【国际申请】  2010-12-07 PCT/JP2010/072313  【国际公布】  2011-07-07 WO2011/081009 EN
 【进入国家日期】  2012-09-12
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  杨美灵;朱海煜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  可以使用更大的衬底,并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层,可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管,由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层,以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层;然后,通过在500℃以上1000℃以下,优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长,使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层;以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
 【主权项】  ?一种制造半导体装置的方法,包括:在衬底上形成第一多元氧化物半导体层;在所述第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层;在所述单元氧化物半导体层上形成第二多元氧化物半导体层;以及进行加热处理,以在所述单元氧化物半导体层中形成单晶区域,并且从所述单元氧化物半导体层中的单晶区域进行结晶生长。
 【页数】  77
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336
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