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非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件  
 【申请号】  CN201080057883.X  【申请日】  2010-11-16
 【公开号】  CN102714180A  【公开日】  2012-10-03
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  加藤清;小山润
 【国际申请】  2010-11-16 PCT/JP2010/070753  【国际公布】  2011-06-16 WO2011/070905 EN
 【进入国家日期】  2012-10-03
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  柯广华;朱海煜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件,非易失性锁存电路包括:锁存部分,具有循环结构,其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入,并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入;以及数据保存部分,配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中,将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件。另外,包括电连接到晶体管的源电极或漏电极的电容器。
 【主权项】  一种非易失性锁存电路,包括:锁存部分;以及数据保存部分,配置成保存所述锁存部分的数据,所述数据保存部分包括:晶体管;以及电容器,其中,所述晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体层,以及其中,所述晶体管的源电极和漏电极其中之一电连接到所述电容器的电极之一,以及其中,所述晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个电连接到提供有输入信号的布线。
 【页数】  100
 【主分类号】  H01L21/8242
 【专利分类号】  H01L21/8242;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/786
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