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半导体器件  
 【申请号】  CN201210132046.X  【申请日】  2012-04-28
 【公开号】  CN102760488A  【公开日】  2012-10-31
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  家田义纪;磯部敦生;盐野入丰;热海知昭
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  陈华成
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括:存储元件,包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管;用于储存所述存储元件的数据的电容器;以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。
 【主权项】  一种半导体器件,包括:能保持一位信息的易失性存储元件;电容器;以及开关,配置来控制该易失性存储元件与该电容器之间的电荷传输,使得该开关和该电容器能以非易失性方式保持该位信息。
 【页数】  129
 【主分类号】  G11C11/4193
 【专利分类号】  G11C11/4193;G11C16/06;H01L27/10;H01L27/105
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