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半导体装置的制造方法  
 【申请号】  CN201210114763.X  【申请日】  2012-04-18
 【公开号】  CN102760697A  【公开日】  2012-10-31
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  肥塚纯一;山出直人;佐藤裕平;岡崎豊;山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  胡嘉倩
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的课题之一是给使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性,而使该半导体装置高可靠性化。在包括氧化物半导体膜的晶体管的制造工序中,形成包括具有大致垂直于其表面的c轴的结晶的氧化物半导体膜(也称为第一晶体氧化物半导体膜),对该氧化物半导体膜引入氧而使其至少一部分非晶化来形成包含过剩的氧的非晶氧化物半导体膜。在该非晶氧化物半导体膜上形成氧化铝膜之后,进行加热处理而使该非晶氧化物半导体膜的至少一部分结晶化,来形成包括具有大致垂直于其表面的结晶的氧化物半导体膜(也称为第二晶体氧化物半导体膜)。
 【主权项】  一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在绝缘膜上形成第一晶体氧化物半导体膜,该第一晶体氧化物半导体膜包括含有大致垂直于所述第一晶体氧化物半导体膜的表面的c轴的结晶;在所述第一晶体氧化物半导体膜上形成栅极绝缘膜;透过所述栅极绝缘膜对所述第一晶体氧化物半导体膜添加氧,以形成至少其一部分为非晶的氧化物半导体膜;在所述栅极绝缘膜上形成栅电极层;在所述栅电极层上形成氧化铝膜;以及对所述至少一部分为非晶的所述氧化物半导体膜进行加热处理来使所述氧化物半导体膜的至少一部分结晶化,以形成第二晶体氧化物半导体膜,该第二晶体氧化物半导体膜包括含有大致垂直于所述第二晶体氧化物半导体膜的表面的c轴的结晶。
 【页数】  84
 【主分类号】  H01L21/77
 【专利分类号】  H01L21/77;H01L29/786;H01L29/04
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