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制造半导体器件的方法  
 【申请号】  CN201210158073.4  【申请日】  2012-05-18
 【公开号】  CN102790095A  【公开日】  2012-11-21
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  肥塚纯一;佐藤裕平;山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  胡嘉倩
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明公开了一种制造半导体器件的方法。向包括氧化物半导体膜的半导体器件提供稳定的电学特性和高可靠性。在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中,形成无定形氧化物半导体膜,向所述无定形氧化物半导体膜加入氧,这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后,在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜,在其上进行热处理,以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶,这样形成晶体氧化物半导体膜。
 【主权项】  一种制造半导体器件的方法,其包括以下步骤:形成绝缘膜、氧化铝膜和位于所述绝缘膜和氧化铝膜之间的无定形氧化物半导体膜;和在所述无定形氧化物半导体膜上进行热处理,以形成包括晶体的氧化物半导体膜,作为向其中添加氧的结果,所述无定形氧化物半导体膜具有含氧量超过晶体状态时氧化物半导体中氧的化学计量比的区域。
 【页数】  78
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L29/04
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