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半导体装置及其制造方法  
 【申请号】  CN201210235123.4  【申请日】  2012-07-09
 【公开号】  CN102867854A  【公开日】  2013-01-09
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;筱原聪始
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  汤春龙;王忠忠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中,包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半导体层。氧和/或掺杂剂可添加到氧化物半导体堆叠层。
 【主权项】  ?一种半导体装置,包括:栅电极;所述栅电极之上的栅绝缘膜;所述栅绝缘膜之上的氧化物半导体堆叠层,所述氧化物半导体堆叠层包括: 所述栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层;以及 所述第一氧化物半导体层之上的第二氧化物半导体层;以及所述氧化物半导体堆叠层之上的源电极和漏电极,其中,所述第一氧化物半导体层的能隙与所述第二氧化物半导体层的能隙彼此不同。
 【页数】  100
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
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