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一种全固态三基色激光器芯片及其制作方法  
 【申请号】  CN201110241587.1  【申请日】  2011-08-22
 【公开号】  CN102957094A  【公开日】  2013-03-06
 【申请人】  山东浪潮华光光电子有限公司  【地址】  261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
 【共同申请人】  
 【发明人】  夏伟;苏建;张秋霞;任忠祥;徐现刚
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  济南金迪知识产权代理有限公司 37219  【代理人】  吕利敏
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  37
 【摘要】  本发明提供了一种全固态三基色激光器芯片及其制作方法。该全固态三基色激光器芯片包括构成层叠结构的第一波长激光器芯片、第二波长激光器芯片及第三波长激光器芯片;将去除衬底的第二波长激光器芯片与第一波长激光器芯片集成在一起,同样再将去除衬底的第三波长激光器芯片外延层与去除衬底的第二波长激光器芯片外延层集成在一起。本发明三基色激光器各波长芯片两电极间的电流、电压可分别控制,三波长的光混合产生白光。本发明的全固态三基色激光器芯片使用寿命长、稳定性好、体积小、发光效率高。
 【主权项】  一种全固态三基色激光器芯片,包括第一波长激光器芯片、第二波长激光器芯片及第三波长激光器芯片;第一波长激光器芯片衬底的底面镀有金属欧姆接触层I、芯片表面蒸镀有绝缘介质膜I、金属键合层I,第二波长激光器芯片表面通过该金属键合层I与第一波长激光器芯片表面集成在一起,去除衬底的第二波长激光器芯片另一面蒸镀有金属欧姆接触层II、绝缘介质膜II、金属键合层II,第三波长激光器芯片表面通过该金属键合层II与去除衬底的第二波长激光器芯片另一面集成在一起,去除衬底的第三波长激光器芯片另一面蒸镀有金属欧姆接触层III;在所述金属欧姆接触层III一端向下腐蚀露出部分第二波长激光器芯片金属欧姆接触层II;所述的金属欧姆接触层I、II、III分别为第一波长激光器芯片、第二波长激光器芯片、第三波长激光器芯片的N电极焊线区;在所述金属欧姆接触层III另一端向下腐蚀分别露出部分第一波长激光器芯片的金属层、金属键合层I和第二波长激光器芯片金属键合层II,分别作为第一波长激光器芯片、第二波长激光器芯片和第三波长激光器芯片的P电极焊线区。
 【页数】  15
 【主分类号】  H01S5/40
 【专利分类号】  H01S5/40
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