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GGNMOS的制作方法  
 【申请号】  CN201110459385.4  【申请日】  2011-12-31
 【公开号】  CN103187295A  【公开日】  2013-07-03
 【申请人】  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司  【地址】  201203 上海市浦东新区张江路18号
 【共同申请人】  
 【发明人】  赵猛
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  骆苏华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  31
 【摘要】  一种GGNMOS的制作方法,包括:提供P型半导体衬底;在半导体衬底上依次形成栅绝缘层和栅极;进行源漏注入;形成层间介质层;刻蚀形成接触孔的通孔;利用已经形成的通孔作为掩模进行ESD离子注入。与制作GGNMOS时在形成接触孔之前做ESD注入相比,在接触孔的通孔形成后做ESD注入,不仅仅减少了原本工艺的步骤,还缩小了漏极中ESD?Implant的区域,可以降低漏电,同时可以降低由于横向扩散造成的栅漏寄生电容,改善了GGNMOS的静电保护特性。
 【主权项】  一种GGNMOS的制作方法,其特征在于,包括:提供P型半导体衬底;在半导体衬底上依次形成栅绝缘层和栅极;进行源漏注入;形成层间介质层;刻蚀形成接触孔的通孔;利用已经形成的通孔作为掩模进行ESD离子注入。
 【页数】  8
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336
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