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CMOS晶体管及其形成方法  
 【申请号】  CN201210244015.3  【申请日】  2012-07-13
 【公开号】  CN103545258A  【公开日】  2014-01-29
 【申请人】  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司  【地址】  201203 上海市浦东新区张江路18号
 【共同申请人】  
 【发明人】  平延磊;周鸣
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237  【代理人】  屈蘅;李时云
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  31
 【摘要】  本发明公开了一种CMOS晶体管及其形成方法,对栅极金属层采用implant工艺进行注氮处理,形成一氮化物层,其与栅极金属层和随后形成的掩膜层皆具有较好的粘附性,从而掩膜层的稳定性大大增加,避免了peeling现象的发生,从而提高了器件的可靠性。
 【主权项】  一种CMOS晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上顺次形成有栅极介电层及牺牲多晶硅栅极;移除所述牺牲多晶硅层;形成金属层,所述金属层覆盖所述栅极介电层;对所述金属层进行注氮处理;对所述金属层进行热处理,形成氮化物层及栅极金属层。
 【页数】  11
 【主分类号】  H01L21/8238
 【专利分类号】  H01L21/8238;H01L21/28;H01L27/092
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