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半导体存储器件及用于控制半导体存储器件的方法  
 【申请号】  CN201310359006.3  【申请日】  2013-08-16
 【公开号】  CN103632716A  【公开日】  2014-03-12
 【申请人】  富士通半导体股份有限公司  【地址】  日本神奈川县横滨市
 【共同申请人】  
 【发明人】  小泽敬
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  康建峰;苗迎华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明公开了一种半导体存储器件及用于控制半导体存储器件的方法。半导体存储器件(10)包括字线(WL0、WL1)、与所述字线交叉的位线对(B00、xB00、B11、xB11)以及设置在所述字线与所述位线对交叉处的存储单元(C000至C111)。与所述字线之一对应地设置的字线驱动器(21)输出第一电压(VD1)或第二电压(VDD)。电势检测电路(BD00)与至少一个位线对对应地被设置以检测所述位线对处的电势并且生成检测信号(DS00)。字线电压调节电路(31)根据来自电势检测电路的检测信号将字线驱动器的输出电压从第一电压改变至第二电压。读出放大器(SA0)对位线对中的所选择用于访问的一个位线对的电势差进行放大。
 【主权项】  一种半导体存储器件,包括:多个字线;与所述多个字线交叉的多个位线对;与所述多个字线和所述多个位线对交叉的位置对应地设置的多个存储单元;与所述多个字线之一对应地设置的字线驱动器,其中所述字线驱动器输出第一电压或高于所述第一电压的第二电压;与所述多个位线对中的至少一个位线对对应地设置的电势检测电路,其中所述电势检测电路检测所述至少一个位线对处的电势并且生成检测信号;字线电压调节电路,其根据来自所述电势检测电路的所述检测信号来将所述字线驱动器的输出电压从所述第一电压改变至所述第二电压;以及读出放大器,其对所述多个位线对中的所选择用于访问的一个位线对的电势差进行放大。
 【页数】  33
 【主分类号】  G11C11/413
 【专利分类号】  G11C11/413
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