用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
半导体装置及其制造方法  
 【申请号】  CN201310511688.5  【申请日】  2013-10-24
 【公开号】  CN103779423A  【公开日】  2014-05-07
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  肥塚纯一;岛行德;德永肇;佐佐木俊成;村山佳右;松林大介
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  张鑫
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外,提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中,该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜,上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极,多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜,第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜,第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。
 【主权项】  一种包括晶体管的半导体装置,其特征在于,该晶体管包括:衬底上的栅电极;所述栅电极上的栅极绝缘膜;所述栅极绝缘膜上的多层膜;与所述多层膜电连接的一对电极;所述栅极绝缘膜、所述多层膜及所述一对电极上的第一氧化物绝缘膜;以及所述第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜,所述多层膜包括氧化物半导体膜及至少含有In和Ga中的任一个的氧化物膜,所述第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜,所述第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜,当进行偏压温度应力测试时,所述晶体管的阈值电压不发生变动、或者向正方向或负方向的变动量为1.0V以下。
 【页数】  123
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站