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一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺  
 【申请号】  CN201310172714.6  【申请日】  2013-05-13
 【公开号】  CN104157592A  【公开日】  2014-11-19
 【申请人】  理想能源设备(上海)有限公司  【地址】  201203 上海市浦东新区居里路1号
 【共同申请人】  
 【发明人】  陈金元;汪训忠;其他发明人请求不公开姓名
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】    【代理人】  
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  31
 【摘要】  一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺,该工艺包括如下步骤:提供硅基异质结太阳能电池的生产设备,其包括进片腔和沉积腔,所述沉积腔中设置有对硅片进行热处理的加热器;采用湿法化学清洗方式对所述硅片表面进行清洗和干燥;将所述硅片传输至所述进片腔中,并进行抽真空处理;再将所述硅片从所述进片腔传输至所述沉积腔中,该沉积腔内为真空环境,所述加热器的温度预先设置为高于制备所述硅基薄膜的工艺温度;当所述硅片的表面温度被加热至所述硅基薄膜的工艺温度时,在所述沉积腔中利用化学气相沉积方法制备所述硅基薄膜。本发明能够在保证覆膜质量的同时提高设备产能、节约生产成本。
 【主权项】  一种增加硅基异质结太阳能电池产能的工艺,该工艺用于制备所述硅基异质结太阳能电池中的硅基薄膜,其特征在于:该工艺包括如下步骤:第一步,提供硅基异质结太阳能电池的生产设备,其包括进片腔和沉积腔,所述沉积腔中设置有对硅片进行热处理的加热器;第二步,采用湿法化学清洗方式对所述硅片表面进行清洗和干燥;第三步,将所述硅片传输至所述进片腔中,并进行抽真空处理;第四步,再将所述硅片从所述进片腔传输至所述沉积腔中,该沉积腔内为真空环境,所述加热器的温度预先设置为高于制备所述硅基薄膜的工艺温度;第五步,当所述硅片的表面温度被加热至所述硅基薄膜的工艺温度时,在所述沉积腔中利用化学气相沉积方法制备所述硅基薄膜。
 【页数】  16
 【主分类号】  H01L21/67
 【专利分类号】  H01L21/67;H01L21/205
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