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绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置  
 【申请号】  CN201380017829.6  【申请日】  2013-03-18
 【公开号】  CN104185898A  【公开日】  2014-12-03
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  冈崎健一;佐佐木俊成;横山周平;羽持贵士
 【国际申请】  2013-03-18 PCT/JP2013/058888  【国际公布】  2013-10-10 WO2013/150927 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  叶晓勇;姜甜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中,以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜:将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃;将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa;并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。
 【主权项】  ?一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:将安装在处理室内的衬底的温度保持为第一温度,将原料气体导入所述处理室中,将高频功率供应到所述处理室内的电极,以在所述衬底上形成绝缘膜,其中,所述第一温度是180℃以上且260℃以下,当导入所述原料气体时,将所述处理室中的压力设定为100Pa以上且250Pa以下,并且,所述高频功率为0.17W/cm||sup||2||/sup||以上且0.5W/cm||sup||2||/sup||以下。
 【页数】  95
 【主分类号】  H01L21/318
 【专利分类号】  H01L21/318;C23C16/42;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8247;H01L23/532;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/417;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792
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