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薄膜晶体管  
 【申请号】  CN201380029493.5  【申请日】  2013-06-06
 【公开号】  CN104335355A  【公开日】  2015-02-04
 【申请人】  株式会社神户制钢所  【地址】  日本兵库县
 【共同申请人】  
 【发明人】  后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋
 【国际申请】  2013-06-06 PCT/JP2013/065743  【国际公布】  2013-12-12 WO2013/183726 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司 11021  【代理人】  张玉玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜,其中,前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体,前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上,且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间,并且在前述第一氧化物半导体层中,各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5%以上、In:25%以下(不含0%)、Zn:35~65%及Sn:8~30%。
 【主权项】  一种薄膜晶体管,其特征在于,在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源?漏电极及保护所述源?漏电极的保护膜,所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn及O构成的第一氧化物半导体层和由In、Zn、Sn及O构成的第二氧化物半导体层的层叠体,所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上,且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间,并且在所述第一氧化物半导体层中,各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量以原子%计为:In:25%以下且不含0%、Ga:5%以上、Zn:35~65%、以及Sn:8~30%。
 【页数】  36
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363
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