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半导体装置及半导体装置的制造方法  
 【申请号】  CN201410663619.0  【申请日】  2011-04-01
 【公开号】  CN104465408A  【公开日】  2015-03-25
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  李啸;汤春龙
 【分案原申请号】  201180020535X 20110401
 【国省代码】  JP
 【摘要】  一种使用氧化物半导体的半导体装置,其具有稳定的电特性和高可靠性。在具有氧化物半导体膜的底栅的晶体管的制造工序中,进行通过热处理的脱水化或脱氢化以及进行氧掺杂处理。具有受到通过热处理的脱水化或脱氢化以及氧掺杂处理的氧化物半导体膜的晶体管是具有高可靠性的晶体管,其中在偏压-热应力试验(BT试验)中晶体管的阈值电压的变化量可以减小。
 【主权项】  一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在等离子体装置的工作台上设置衬底,在所述衬底设置有氧化物半导体和绝缘膜,?????其中,所述工作台连接至高频电源;?????并且其中,所述氧化物半导体设置在所述衬底上,并且所述绝缘膜设置在所述氧化物半导体上;以及通过将来自所述高频电源的高频电力施加到所述工作台来对所述绝缘膜进行氧掺杂处理,以便将氧供给至所述绝缘膜。
 【页数】  73
 【主分类号】  H01L21/34
 【专利分类号】  H01L21/34;H01L21/4757;H01L21/473
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