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氧化物烧结体以及对其进行加工而得到的片体  
 【申请号】  CN201380040279.X  【申请日】  2013-07-31
 【公开号】  CN104507888A  【公开日】  2015-04-08
 【申请人】  住友金属矿山株式会社  【地址】  日本东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  中山德行
 【国际申请】  2013-07-31 PCT/JP2013/070728  【国际公布】  2014-02-06 WO2014/021374 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216  【代理人】  刘激扬
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种离子镀用片体以及氧化物烧结体,该氧化物烧结体以用于获得该离子镀用片体的氧化铟为主要成分并且含有特定量的锡作为添加元素,该离子镀用片体可高速成膜适用于太阳能电池的透明导电膜并且可在不引起裂纹、破碎或者喷溅的状态下继续成膜。本发明提供一种氧化物烧结体等,该氧化物烧结体以氧化铟为主要成分,含有锡作为添加元素,并且锡的含量按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.001~0.15,其特征在于,该氧化物烧结体主要由晶粒(A)和晶粒(B)构成,该晶粒(A)中,锡的含量少于氧化物烧结体的平均锡含量,该晶粒(B)中,锡的含量在氧化物烧结体的平均锡含量以上,晶粒(B)与晶粒(A)的平均锡含量之差按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.015以上,且该氧化物烧结体的密度为3.4~5.5g/cm3
 【主权项】  一种氧化物烧结体,其以氧化铟为主要成分,含有锡作为添加元素,并且锡的含量按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.001~0.15,其特征在于,该氧化物烧结体主要由晶粒(A)和晶粒(B)构成,该晶粒(A)中,锡的含量少于氧化物烧结体的平均锡含量,该晶粒(B)中,锡的含量在氧化物烧结体的平均锡含量以上,晶粒(B)与晶粒(A)的平均锡含量之差按照Sn/(In+Sn)原子数比计为0.015以上,且该氧化物烧结体的密度为3.4~5.5g/cm||sup||3||/sup||。
 【页数】  41
 【主分类号】  C04B35/00
 【专利分类号】  C04B35/00;C23C14/24
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