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氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管  
 【申请号】  CN201380049309.3  【申请日】  2013-10-10
 【公开号】  CN104685634A  【公开日】  2015-06-03
 【申请人】  住友金属矿山株式会社  【地址】  日本国东京都
 【共同申请人】  
 【发明人】  中山德行
 【国际申请】  2013-10-10 PCT/JP2013/077610  【国际公布】  2014-04-17 WO2014/058019 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  隆天知识产权代理有限公司 72003  【代理人】  张永康;李英艳
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的课题在于,通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明的氧化物半导体薄膜,其中,所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成,并且,钨含量以W/In原子数比计为0.005~0.12,并且,所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成,并且,载流子浓度为1×1018cm-3以下,载流子迁移率高于1cm2/Vsec。此外,构成氧化物半导体薄膜的氧化物中,还可以含有锌以使其含量以Zn/In原子数比计处于0.05以下的范围。
 【主权项】  一种氧化物半导体薄膜,其中,所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成,并且,钨含量以W/In原子数比计为0.005~0.12,并且,所述氧化物半导体薄膜是结晶质的薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In||sub||2||/sub||O||sub||3||/sub||相构成,并且,载流子浓度为1×10||sup||18||/sup||cm||sup||?3||/sup||以下,载流子迁移率比1cm||sup||2||/sup||/Vsec高。
 【页数】  20
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786
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