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半导体装置及其制造方法  
 【申请号】  CN201510189236.9  【申请日】  2010-11-15
 【公开号】  CN104795323A  【公开日】  2015-07-22
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;坂田淳一郎;大原宏树
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  申发振
 【分案原申请号】  201080054058.4 2010.11.15
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着,为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧,然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。
 【主权项】  一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成栅电极;在所述栅电极上形成栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜;通过对所述氧化物半导体膜进行蚀刻来形成岛状氧化物半导体膜;对所述岛状氧化物半导体膜进行第一加热处理;通过离子注入法或离子掺杂法对进行了所述第一加热处理的所述岛状氧化物半导体膜添加氧;对添加了所述氧的所述岛状氧化物半导体膜进行第二加热处理;以及在所述第二加热处理之后对所述岛状氧化物半导体膜进行等离子体处理。
 【页数】  70
 【主分类号】  H01L21/324
 【专利分类号】  H01L21/324;H01L29/786;H01L21/28
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