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半导体装置的制造方法  
 【申请号】  CN201510155886.1  【申请日】  2011-03-30
 【公开号】  CN104851810A  【公开日】  2015-08-19
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  刘倜
 【分案原申请号】  201180020385.2 2011.03.30
 【国省代码】  JP
 【摘要】  所公开的发明的一种方式是一种半导体装置的制造方法,其包括如下步骤:形成第一绝缘膜;对第一绝缘膜进行氧掺杂处理来对第一绝缘膜供给氧;在第一绝缘膜上形成源电极、漏电极及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜;对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子;在氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜;以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。利用该制造方法可以形成具有稳定的电特性及高可靠性的包括氧化物半导体的半导体装置。
 【主权项】  一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜;将氧添加到所述氧化物半导体膜;在添加有氧的所述氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜;以及在所述第二绝缘膜上形成栅电极,其中,所述氧化物半导体膜通过溅射法在100℃以上且400℃以下的温度下形成。
 【页数】  58
 【主分类号】  H01L21/34
 【专利分类号】  H01L21/34;H01L21/383;H01L21/425;H01L29/786
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