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半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备  
 【申请号】  CN201510086792.3  【申请日】  2015-02-17
 【公开号】  CN104867981A  【公开日】  2015-08-26
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  下村明久;山根靖正;佐藤裕平;石山贵久;冈崎健一;川锅千穗;太田将志;石原典隆
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  李啸;姜甜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜,使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射,由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案,多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案,第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100%,第一电子衍射图案所占的比率为90%以上,第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点,第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
 【主权项】  ?一种氧化物半导体膜,其中,使用束径的半宽度为1nm的电子束在使所述氧化物半导体膜的位置与所述电子束的位置相对地移动的同时对所述氧化物半导体膜的被形成面进行照射,由此观察到所述氧化物半导体膜具有多个电子衍射图案,所述多个电子衍射图案包括在不同的地点观察的50个以上的电子衍射图案,所述多个电子衍射图案的方向随机分布,在所述50个以上的电子衍射图案中第一电子衍射图案所占的比率与第二电子衍射图案所占的比率之和为100%,在所述50个以上的电子衍射图案中所述第一电子衍射图案所占的比率为90%以上,所述第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于所述氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点,并且,所述第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为环状的观察区域。
 【页数】  284
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L27/12
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