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薄膜晶体管及其制造方法  
 【申请号】  CN201380067811.7  【申请日】  2013-12-27
 【公开号】  CN104885229A  【公开日】  2015-09-02
 【申请人】  株式会社神户制钢所  【地址】  日本兵库县
 【共同申请人】  
 【发明人】  森田晋也;越智元隆;后藤裕史;钉宫敏洋;广濑研太
 【国际申请】  2013-12-27 PCT/JP2013/085112  【国际公布】  2014-07-03 WO2014/104296 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司 11021  【代理人】  张玉玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT,TFT的氧化物半导体层对源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异,且应力耐受性优异。该TFT的特征在于,是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层;以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体,按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成,且在薄膜晶体管的层叠方向截面中,通过[100×(源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚-第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5%以下。
 【主权项】  一种薄膜晶体管,其特征在于,是在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源#漏电极以及保护所述源#漏电极的保护膜的薄膜晶体管,其中,所述氧化物半导体层是具有由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层;以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体,所述第2氧化物半导体层在所述栅极绝缘膜上形成,并且,所述第1氧化物半导体层在所述第2氧化物半导体层与所述保护膜或所述源#漏电极之间形成,且在薄膜晶体管的层叠方向截面中,通过[100×(源#漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚#第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源#漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5%以下。
 【页数】  41
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;C01G19/00;H01L21/306;H01L21/316;H01L21/336
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