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半导体元件及其制造方法  
 【申请号】  CN201510349006.4  【申请日】  2010-09-01
 【公开号】  CN104934483A  【公开日】  2015-09-23
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  李玲
 【分案原申请号】  201080043261.1 2010.09.01
 【国省代码】  JP
 【摘要】  半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质,诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层,以使杂质扩散到氧化物绝缘层中,并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
 【主权项】  一种用于制造半导体元件的方法,包括以下步骤:在基板上形成栅电极;在所述栅电极上形成栅绝缘层;在形成所述栅绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理;在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层;以及在一部分所述氧化物半导体层上形成氧化物绝缘层并与之相接触。
 【页数】  29
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L27/12
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