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半导体器件  
 【申请号】  CN201510976406.8  【申请日】  2015-12-23
 【公开号】  CN105738001B  【公开日】  2020-01-07
 【申请人】  瑞萨电子株式会社  【地址】  日本东京
 【共同申请人】  
 【发明人】  有坂直也;南正隆;三木隆博
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京市金杜律师事务所  【代理人】  王茂华
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供一种半导体器件,其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有:第一计数器;以及第二计数器即时间测量电路,其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间,第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值,获得对应于第一电压的数字信息。
 【主权项】  1.一种半导体器件,包括:第一计数器;时间测量电路,所述时间测量电路对时间进行测量,直到通过对具有对应于第一电压的频率的第一信号进行计数获得的计数值达到能够由所述第一计数器计数的最大计数值;以及电压生成电路,所述电压生成电路生成所述第一电压和不同于所述第一电压的第二电压,其中所述第二电压的温度依赖性低于所述第一电压的温度依赖性,并且其中基于通过基于由所述时间测量电路测量的时间对具有对应于所述第二电压的频率的第二信号进行计数获得的计数值,所述第一计数器获得对应于所述第一电压的数字信息。
 【页数】  26
 【主分类号】  G01K7/01
 【专利分类号】  G01K7/01
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