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半导体装置  
 【申请号】  CN201480064849.3  【申请日】  2014-11-19
 【公开号】  CN105793994A  【公开日】  2016-07-20
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;神长正美;羽持贵士;日向野聪;保坂泰靖;生内俊光
 【国际申请】  2014-11-19 PCT/IB2014/066150  【国际公布】  2015-06-04 WO2015/079362 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  刘倜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置,其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu#X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:具有导电性的氧化物半导体膜;以及接触于所述具有导电性的氧化物半导体膜的第一导电膜,其中,所述第一导电膜包括Cu#X合金膜,X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti,并且,所述具有导电性的氧化物半导体膜的氢浓度高于或等于8×1019atoms/cm3
 【页数】  114
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L51/50;H05B33/14
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