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熔丝的熔断电流的校准方法与电路  
 【申请号】  CN201510122461.0  【申请日】  2015-03-19
 【公开号】  CN106033107A  【公开日】  2016-10-19
 【申请人】  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司  【地址】  201203 上海市浦东新区张江路18号
 【共同申请人】  
 【发明人】  邓志兵;杨家奇;陈先敏
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京康信知识产权代理有限责任公司 11240  【代理人】  吴贵明;张永明
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  31
 【摘要】  本申请提供了一种熔丝的熔断电流的校准方法与电路。该校准方法包括:获取复制熔丝单元中熔丝的压降,其中,复制熔丝单元与标准复制熔丝单元相同;计算压降和标准电压之间的实际电压差;将实际电压差转换为编程编码;以及利用编程编码控制标准复制熔丝单元中的NMOS晶体管的导通或者断开,以调整标准复制熔丝单元所控制的熔丝的电流。采用该方法校准获得的编程电流与工艺及应用环境很好地符合,避免了与工艺及应用环境需要的实际编程电流的偏差的产生或者极大地减小了偏差值,极大地减小了或消除了工艺与应用环境的偏差造成的预设电流与实际需要的编程电流的差值,提高了标准复制熔丝单元所控制的熔丝电流的稳定性与精确度。
 【主权项】  一种熔丝的熔断电流的校准方法,其特征在于,包括:获取复制熔丝单元中熔丝的压降,其中,所述复制熔丝单元与标准复制熔丝单元相同;计算所述压降和标准电压之间的实际电压差;将所述实际电压差转换为编程编码;以及根据所述编程编码控制所述标准复制熔丝单元中的NMOS晶体管的导通或者断开,以调整所述标准复制熔丝单元所控制的熔丝的电流。
 【页数】  13
 【主分类号】  G01R31/26
 【专利分类号】  G01R31/26
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