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半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置  
 【申请号】  CN201580010830.5  【申请日】  2015-02-17
 【公开号】  CN106104772A  【公开日】  2016-11-09
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅
 【国际申请】  2015-02-17 PCT/IB2015/051147  【国际公布】  2015-09-03 WO2015/128774 EN
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038  【代理人】  刘倜
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分,第四绝缘膜包括第二部分,第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析法测量时,第一部分和从第二部分释放的氧分子的量少于从第三部分释放的氧分子的量。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:在第一绝缘膜上的氧化物半导体膜;与所述氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极;在所述源电极上包括第一部分的第二绝缘膜;在所述漏电极上包括第二部分的第三绝缘膜;以及在所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜及所述氧化物半导体膜上包括第三部分的第四绝缘膜,其中,在热脱附谱分析中从所述第一部分释放的氧分子的第一量及从所述第二部分释放的氧分子的第二量都小于从所述第三部分释放的氧分子的第三量。
 【页数】  100
 【主分类号】  H01L21/336
 【专利分类号】  H01L21/336;G02F1/1368;H01L21/28;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14
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