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显示设备  
 【申请号】  CN201610843907.3  【申请日】  2010-09-28
 【公开号】  CN106200185A  【公开日】  2016-12-07
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  上海专利商标事务所有限公司 31100  【代理人】  侯颖媖
 【分案原申请号】  201080046963.5 2010.09.28
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明涉及一种显示设备,包括:包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管,所述沟道形成区包括氧化物半导体;电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极;以及与所述像素电极相邻的液晶材料,其中,所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
 【主权项】  一种显示设备,包括:包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管,所述沟道形成区包括氧化物半导体;电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极;以及与所述像素电极相邻的液晶材料,其中,所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
 【页数】  85
 【主分类号】  G02F1/1368
 【专利分类号】  G02F1/1368;G09G3/36;H01L27/12;H01L29/786
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