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差分电路及其参数化单元的生成方法及生成系统  
 【申请号】  CN201510394211.2  【申请日】  2015-07-07
 【公开号】  CN106339515A  【公开日】  2017-01-18
 【申请人】  中国科学院微电子研究所  【地址】  100029 北京市朝阳区北土城西路3号
 【共同申请人】  
 【发明人】  尹明会;陈岚;赵浙业
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京集佳知识产权代理有限公司 11227  【代理人】  王宝筠
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  11
 【摘要】  本申请实施例公开了一种差分电路参数化单元的生成方法及生成系统,可以根据选取的差分电路样本中的预设参数值,生成差分电路原理图和版图,并进行对应存储,生成差分电路参数化单元,以便于后期具体应用时可以根据获取的待形成差分电路的预设参数值,直接调用该差分电路参数化单元,生成待形成差分电路的原理图和版图,从而解决了现有技术中由于手工绘制、修改差分电路的原理图和版图而导致的生成效率低下的问题,显著提高了差分电路的生成效率。
 【主权项】  一种差分电路参数化单元的生成方法,所述差分电路由MOS管构成,其特征在于,包括:步骤1:选取差分电路样本,获取所述差分电路样本的预设参数值,所述预设参数包括:所述差分电路样本中MOS管的数量、MOS管的长度、MOS管的宽度以及MOS管栅极折叠的数量;步骤2:根据所述差分电路样本中MOS管的宽度以及MOS管栅极折叠的数量,计算MOS管中每段栅的宽度;步骤3:根据所述差分电路样本中MOS管的数量、MOS管的长度和MOS管的宽度生成所述差分电路样本的原理图和网表;步骤4:根据所述差分电路样本中MOS管的数量、MOS管的宽度、MOS管栅极折叠的数量以及MOS管中每段栅的宽度,生成所述差分电路样本的版图;步骤5:对生成的差分电路样本的原理图、网表和版图进行对应存储,形成差分电路参数化单元模板,生成差分电路参数化单元,以集成到工艺设计包(PDK)中供电路设计者调用,利用该差分电路参数化单元生成差分电路。
 【页数】  33
 【主分类号】  G06F17/50
 【专利分类号】  G06F17/50
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