用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管  
 【申请号】  CN201610963227.5  【申请日】  2016-11-04
 【公开号】  CN106384748A  【公开日】  2017-02-08
 【申请人】  东莞市联洲知识产权运营管理有限公司  【地址】  523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406
 【共同申请人】  
 【发明人】  李风浪;李舒歆
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246  【代理人】  连平
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  44
 【摘要】  本发明涉公开了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管,其于形成过程中依次形成第一半氧化物半导体层、第二半氧化物半导体层以及第三半氧化物半导体层,第三半氧化物半导体层中形成第一通孔,在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内的刻蚀阻挡层,两个贯穿孔贯穿刻蚀阻挡层、第三氧化物半导体层以及第二氧化物半导体层的位于第一通孔两侧,源极和漏极形成在刻蚀阻挡层上,通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。本发明形成的薄膜晶体电学性能稳定优良。
 【主权项】  一种氧化物薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在基板上依次形成栅极材料层和栅绝缘材料层,并进行图形化,得到栅极和栅绝缘层。(2)在栅绝缘层上形成电导率为a的第一氧化物半导体层材料层;(3)在第一氧化物半导体材料层上形成电导率为b的第二氧化物半导体材料层,b<a;(4)在第二氧化物半导体材料层上形成电导率为c的第三氧化物半导体材料层,c>a,并进行图形化,得到第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层,第三氧化物半导体层中形成一个第一通孔;(5)在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内形成刻蚀阻挡材料层,并进行图形化,在刻蚀阻挡材料层上形成位于第一通孔两侧的两个第二通孔,形成刻蚀阻挡层;(6)沿着所述刻蚀阻挡层中的两个第二通孔进一步图形化穿透第三氧化物半导体材层以及第二氧化物半导体层,形成两个贯穿孔,漏出第一氧化物半导体层;(7)在所述刻蚀阻挡层上形成电极材料层,并进行图形化,得到源极和漏极,源极和漏极通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。
 【页数】  11
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L21/336;H01L29/22;H01L29/10
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站