用户名: 密码:    忘记密码   注册   在线充值
氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法  
 【申请号】  CN201580035431.4  【申请日】  2015-07-06
 【公开号】  CN106575629A  【公开日】  2017-04-19
 【申请人】  株式会社神户制钢所  【地址】  日本兵库县
 【共同申请人】  
 【发明人】  川上信之;林和志;钉宫敏洋;越智元隆
 【国际申请】  2015-07-06 PCT/JP2015/069387  【国际公布】  2016-01-21 WO2016/009868 JA
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中科专利商标代理有限责任公司 11021  【代理人】  张玉玲
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良;和第2步骤,在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
 【主权项】  一种层叠体的品质评价方法,其是氧化物半导体薄膜及在所述氧化物半导体薄膜的表面上具有保护膜的层叠体的品质评价方法,该评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由所述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良;和第2步骤,在利用基于所述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由所述氧化物半导体薄膜与所述保护膜的界面缺陷引起的不良。
 【页数】  79
 【主分类号】  H01L21/66
 【专利分类号】  H01L21/66;H01L21/336;H01L29/786
   推荐下载阅读CAJ格式全文 查询法律状态
(不支持迅雷等加速下载工具,请取消加速工具后下载。)

 


专利产出状态分析  
本领域科技成果与标准  
发明人发表文献
申请机构(个人)发表文献
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
京 ICP 证 040431 号 网络出版服务许可证 (总)网出证(京)字第 271 号经营性网站备案信息 京公网安备 11010802020460 号
© 2010-2017 中国知网(CNKI) 《中国学术期刊(光盘版)》电子杂志社有限公司 KDN 平台基础技术由 KBASE 11.0 提供
服务热线:400-810-9888 订卡热线:800-810-6613
在线咨询:http://help.cnki.net 客服中心:http://service.cnki.net 电子邮件:help@cnki.net
可信网站 诚信网站