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存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元  
 【申请号】  CN201510957906.7  【申请日】  2015-12-18
 【公开号】  CN106683701A  【公开日】  2017-05-17
 【申请人】  群联电子股份有限公司  【地址】  中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号
 【共同申请人】  
 【发明人】  渡边浩志
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205  【代理人】  马雯雯;臧建明
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  71
 【摘要】  本发明提供一种存储器管理方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:获得多个存储单元的第一临界电压分布;将第一临界电压分布分组成多个第一临界电压群组;获得存储单元的第二临界电压分布;将第二临界电压分布分组成多个第二临界电压群组;若某一存储单元的一临界电压对属于第一临界电压群组的一个特定群组和第二临界电压群组的一个特定群组,则将此存储单元分配到一虚拟区块,使得此存储单元操作在一特定阶存储单元模式。藉此,存储单元的可靠度可在不大幅牺牲可复写式非易失性存储器模块的容量下获得改善。
 【主权项】  一种存储器管理方法,用于一可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元,所述存储器管理方法包括:获得该些存储单元的一第一临界电压分布;将该些存储单元的所述第一临界电压分布分组成多个第一临界电压群组;获得该些存储单元的一第二临界电压分布;将该些存储单元的所述第二临界电压分布分组成多个第二临界电压群组,其中该些第一临界电压群组的一端点临界电压低于该些第二临界电压群组的一端点临界电压;若该些存储单元中的一第一存储单元的一第一临界电压对属于该些第一临界电压群组中的一第一群组和该些第二临界电压群组中的一第一群组,将所述第一存储单元分配到一第一虚拟区块,使得所述第一存储单元操作在一M阶存储单元模式;以及若该些存储单元中的一第二存储单元的一第二临界电压对属于该些第一临界电压群组中的一第二群组和该些第二临界电压群组中的一第二群组,将所述第二存储单元分配到一第二虚拟区块,使得所述第二存储单元操作在一N阶存储单元模式;其中该些第一临界电压群组中的所述第二群组的一端点临界电压低于该些第一临界电压群组的所述第一群组的一端点临界电压,其中该些第二临界电压群组中的所述第二群组的一端点临界电压高于该些第二临界电压群组中的所述第一群组的一端点临界电压,其中M和N皆为大于1的正整数,并且N大于M。
 【页数】  33
 【主分类号】  G11C16/22
 【专利分类号】  G11C16/22;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/34
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