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中空管状氧化物增强银基复合电接触材料及其制备方法  
 【申请号】  CN201611151261.9  【申请日】  2016-12-14
 【公开号】  CN106756199A  【公开日】  2017-05-31
 【申请人】  东北大学  【地址】  110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
 【共同申请人】  
 【发明人】  孙旭东;杨瑞;李晓东;李继光;霍地;刘绍宏;朱琦;张牧
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  沈阳东大知识产权代理有限公司 21109  【代理人】  刘晓岚
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  21
 【摘要】  一种中空管状氧化物增强银基复合电接触材料及其制备方法。该中空管状氧化物增强银基复合电接触材料中含有各组分及其质量百分含量为:Ag:70~98%,中空管状氧化物:2~30%;具体制备过程为:首先采用浸渍#烘干#煅烧法制备中空管状氧化物,并将其应用于银基复合电接触材料领域,采用化学包覆法制备Ag及Ag包覆中空管状氧化物复合粉体,经粉末冶金工艺成型烧结,制得中空管状氧化物增强银基复合电接触材料。本发明的方法制备过程简单、操作方便、成本低廉,可进行工业化生产,采用本发明的方法制备的中空管状氧化物增强银基复合电接触材料,有效地提高陶瓷氧化物在银基体中的分散程度,改善了Ag基体与氧化物增强相的界面结合能力。
 【主权项】  一种中空管状氧化物增强银基复合电接触材料,其特征在于,包括各组分及其质量百分含量为:Ag:70~98%,中空管状氧化物含量:2~30%;所述的中空管状氧化物增强银基复合电接触材料,致密度:96~99.5%,硬度:Hv0.1=50~120,电导率:20~60MS/m,所述的中空管状氧化物在银基体中弥散分布。
 【页数】  13
 【主分类号】  C22C5/06
 【专利分类号】  C22C5/06;C22C1/05;H01H1/0237;H01H11/04
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