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半导体装置及其制造方法  
 【申请号】  CN201611205405.4  【申请日】  2012-07-09
 【公开号】  CN106960880A  【公开日】  2017-07-18
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平;筱原聪始
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  叶培勇;姜甜
 【分案原申请号】  201210235123.4 2012.07.09
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明名称为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中,包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半导体层。氧和/或掺杂剂可添加到氧化物半导体堆叠层。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:氧化物半导体叠层,包括第一氧化物半导体层、所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层、以及所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层;栅电极层,与所述氧化物半导体叠层重叠;以及栅极绝缘膜,在所述栅电极层与所述氧化物半导体叠层之间,其中所述第二氧化物半导体层的导带底部的能量小于所述第一氧化物半导体层的导带底部的能量和所述第三氧化物半导体层的导带底部的能量,并且其中所述第二氧化物半导体层包括其中包含c轴配向的晶体。
 【页数】  80
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336
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