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半导体装置  
 【申请号】  CN201710266672.0  【申请日】  2011-06-20
 【公开号】  CN107195686A  【公开日】  2017-09-22
 【申请人】  株式会社半导体能源研究所  【地址】  日本神奈川县厚木市
 【共同申请人】  
 【发明人】  山崎舜平
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  中国专利代理(香港)有限公司 72001  【代理人】  叶培勇;付曼
 【分案原申请号】  201180033141.8 2011.06.20
 【国省代码】  JP
 【摘要】  本发明的目的之一是提供包括氧化物半导体的半导体装置,其具有稳定的电特性和改进的可靠性。在包括氧化物半导体膜的晶体管中,通过分别使用含有第13族元素及氧的材料形成与氧化物半导体膜接触的绝缘膜,能够保持与氧化物半导体膜的界面的良好状态。再者,通过该绝缘膜分别包括氧比例多于化学计量组成中氧比例的区域,向氧化物半导体膜供应氧,从而能够降低氧化物半导体膜中的氧缺陷。此外,通过与氧化物半导体膜接触的绝缘膜分别采用叠层结构,使得在氧化物半导体膜之上以及之下设置分别含有铝的膜,能够防止水侵入到氧化物半导体膜中。
 【主权项】  一种半导体装置,包括:衬底上的包含氧化铝的第一金属氧化膜;所述第一金属氧化膜上的氧化物半导体膜;所述氧化物半导体膜上的包含氧化铝的第二金属氧化膜;以及所述第二金属氧化膜上的包含氧化铝的第三金属氧化膜。
 【页数】  47
 【主分类号】  H01L29/786
 【专利分类号】  H01L29/786;H01L27/12
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