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CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS  
 【申请号】  CN201611050770.2  【申请日】  2016-11-24
 【公开号】  CN107222693A  【公开日】  2017-09-29
 【申请人】  台湾积体电路制造股份有限公司  【地址】  中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
 【共同申请人】  
 【发明人】  赵亦平;叶尚府;张秦豪;李其霖;周国煜;黄乔逸
 【国际申请】    【国际公布】  
 【进入国家日期】  
 【专利代理机构】  北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287  【代理人】  路勇
 【分案原申请号】  
 【国省代码】  71
 【摘要】  本发明实施例揭示一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS。所述CIS包含具有多个行和多个列的像素元件阵列。多个列输出信号路径耦合到所述像素元件阵列的所述多个列中的每一者。列选路矩阵耦合到用于所述多个列中的每一者的多个列输出信号路径中的每一者。多个模/数转换器ADC耦合到所述列选路矩阵。所述列选路矩阵经配置以在下取样读取操作期间,将至少一个列输出信号路径选路到所述多个ADC中的每一者。
 【主权项】  一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器CIS,其包括:像素元件阵列,其具有多个行和多个列;多个列输出信号路径,其耦合到所述像素元件阵列的所述多个列中的每一者的对应者;列选路矩阵,其耦合到用于所述多个列中的每一者的所述多个列输出信号路径中的每一者;以及多个模/数转换器ADC,其耦合到所述列选路矩阵,其中所述列选路矩阵经配置以在下取样读取操作期间,将至少一个列输出信号路径选路到所述多个ADC中的每一者。
 【页数】  97
 【主分类号】  H04N5/374
 【专利分类号】  H04N5/374;H04N5/3745;H04N1/03;H01L27/146
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